Новая трёхмерная память от Samsung.

Новая трёхмерная память от Samsung.

        

Компанией Samsung было объявлено о начале производства флэш-памяти с новой трехмерной структурой упаковки чипа в которой ячейки будут располагаться вертикально. Со слов разработчиков это позволит преодолеть ограничения масштабируемости энергонезависимой памяти. В 3D V-NAND будет выгодное соотношение размера и производительности. За счёт чего она сможет охватить широкий спектр применения в электронике в том числе и в твердотельных накопителях ( SSD ).

 

 

Новые чипы от Samsung- V-NAND объёмом 128 Гб  использующие  технологию 3D Charge Trap Flash (CTF), будут обеспечивать большую надёжность работы и в это же время позволят снизить стоимость чипов флэш-накопителей по сравнению с стандартными ячейками с плавающим затвором.

 

 

Данная компоновка ячеек от компании Samsung, по технологии Samsung V-NAND, на данный момент позволяет объединить в одном чипе до 24 слоёв. Благодаря специальной системе травления позволяющей объединить каналы не только горизонтально, но и вертикально, возможно достичь намного большей ёмкости.